1. Jüngst gelang es ihnen auf diese Weise, einen unter tiefen Temperaturen 'gezüchteten' GaAs-Halbleiter so zu optimieren, daß die Lebensdauer der Teilchen, die den Strom transportieren, gerade einmal 250 Femtosekunden beträgt. ( Quelle: Süddeutsche Zeitung 1996）