Die Gitterstruktur ist deutlich erkennbar, so daß die Gitterkonstanten direkt bestimmt werden können. (Quelle: bmb+f Forschungslandkarte Deutschland 1998)
Dies wird verursacht durch eine in Abhängigkeit von der in das Kristallgitter eingebauten Anzahl an Ge-Atomen variierenden Gitterkonstanten, welches eine tiefenabhängige Variation des Beu- gungswinkels bewirkt. (Quelle: bmb+f Forschungslandkarte Deutschland 1998)
Da chemisch unterschiedliche III-V-Halbleiter sehr ähnliche Gitterkonstanten besitzen, lassen sie sich fast beliebig kombinieren, so daß Materialien mit bestimmten optischen und elektrischen Eigenschaften nahezu maßgeschneidert werden können. (Quelle: FAZ 1994)
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