Um zu einer solchen Verallgemeinerung zu gelangen, war es erforderlich, auch das Verhalten der elektronischen Minoritätsträger in AgCl-Randschichten zu studieren. (Quelle: bmb+f Forschungslandkarte Deutschland 1998)
Legt man nun an die Elektrode 2 eine größere negative Spannung an (z.B. -15 V), so wird die Potentialmulde unter dieser Elektrode tiefer als unter der ersten, und die Minoritätsträger werden sich in diese Mulde hineinbewegen. (Quelle: Schneider: Lexikon Informatik)
Solange nun die negative Spannung der Elektrode 1 (Bild a.a, z.B. -10 V) größer ist als die der beiden benachbarten Elektroden (z.B. -5 V), bleiben die Minoritätsträger in der Potentialmulde unter der Elektrode 1. Dies ist der Speicherzustand. (Quelle: Schneider: Lexikon Informatik)
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