Bei der Gasphasenabscheidung von III-V-Halbleiter-Schichten mit einer Mischung der III-Komponente entstehen in Abhängigkeit von den Abscheidebedingungen in ausgezeichneten kristallographischen Richtungen partiell geordnete Monolagen-Supergitter. (Quelle: Forschungsbericht Uni Leipzig)
件。
DE-DE
Sätze
DE-CN
EN-CN
Bilder
Google
Wiki
